BM y Samsung han desarrollado un nuevo diseño para el apilamiento de los transistores en chips como procesadores y los sistemas en chip (SoC, en inglés), que permite saltar limitaciones de rendimiento o reducir el consumo energético manteniendo un flujo de corriente alto.
En otras palabras, gasta muchísima menos energía y alargaría la batería de dispositivos como móviles, tablets, videoconsolas o incluso ordenadores. El diseño se ha presentado el marco de la feria ‘International Electron Devices Meeting’ (IEDM), que se celebra en San Francisco (Estados Unidos) y donde de forma anual las empresas del sector de los semiconductores comparten sus últimas innovaciones.
Las dos compañías tecnológicas han aprovechado IEDM para presentar el diseño que han llamado ‘Vertical Transport Field Effect Transistors’ (VTFET), es decir, un diseño que apila los transistores de un chip en perpendicular para que la corriente eléctrica fluya de forma vertical, como informan en Engadget.
Este diseño difiere del actual, por el que se apilan los transistores sobre chip, en horizontal, para que la corriente fluya de lado a lado. La ventaja del nuevo diseño permite ir más allá de la Ley Moore, que establece que cada dos años deben duplicarse los transistores de un circuito integrado, lo que con el tiempo ha permitido tener ordenador más potentes al tiempo que más pequeños y económicos.